臺積電InFO產品結構如下：

其工藝流程如下：

1、在晶圓Pad上制作一層預制銅柱；

2、將切割好的芯片Pad面向上粘貼在帶臨時鍵合膠的載片上；

3、對載片進行灌膠塑封；

4、對塑封好的扇出晶圓進行研磨，露出預制銅柱的頂部；

5、在預制銅柱的頂部進一步制作RDL及植球移除載片；

6、將完成植球的扇出式晶圓切割成單個成品。

該技術由于布線工藝在載片上完成，沒有翹曲等因素的影響，因而能夠實現(xiàn)高密度布線，同時整體封裝厚度也能控制的很低，多應用在高端手機處理器等高價值芯片上。缺點是工藝控制要求高，而且RDL良率直接會影響到芯片成品率，因此最終成品價格較高。

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